IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
НОВА часть #:
312-2285076-IPN60R3K4CEATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPN60R3K4CEATMA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-3 | |
| Базовый номер продукта | IPN60R3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 40µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Super Junction | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 93 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Tc) | |
| Другие имена | IPN60R3K4CEATMA1DKR IPN60R3K4CEATMA1CT IPN60R3K4CEATMA1TR SP001434888 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN60H080DS-7Diodes Incorporated
IPN60R1K0CEATMA1Infineon Technologies
IPN70R1K0CEATMA1Infineon Technologies- IPN60R1K5CEATMA1Infineon Technologies
