SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284805-SI2308CDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2308CDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 2.6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2308 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 105 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Tc) | |
| Другие имена | SI2308CDS-T1-GE3DKR SI2308CDS-T1-GE3TR SI2308CDS-T1-GE3CT |
In stock Нужно больше?
0,23490 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1N5819HW-7-FDiodes Incorporated
SI2308BDS-T1-E3Vishay Siliconix
SSM3K318R,LFToshiba Semiconductor and Storage
NTR5198NLT1Gonsemi
CMPT2907AE TR PBFREECentral Semiconductor Corp- 1N4148W-7-FDiodes Incorporated
- SI2309CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI2308BDS-T1-GE3Vishay Siliconix