DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
НОВА часть #:
312-2282012-DMN1019USN-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN1019USN-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-59-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN1019 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 2.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2426 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 680mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN1019USN-7DICT DMN1019USN-7DIDKR DMN1019USN-7DITR |
In stock Нужно больше?
0,13900 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix
BTS3118NHUMA1Infineon Technologies
MCP2561T-E/SNMicrochip Technology
MMBT2907ALT1Gonsemi
BSS123LT1Gonsemi
RB751V40T1Gonsemi
DMN1019USN-13Diodes Incorporated
WP914CK/4GDTKingbright
