BSS139IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
НОВА часть #:
312-2268426-BSS139IXTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS139IXTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT-23-3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 56µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.3 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta) | |
| Другие имена | 448-BSS139IXTSA1TR SP005558631 448-BSS139IXTSA1CT 448-BSS139IXTSA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- DMN24H3D5L-7Diodes Incorporated
- BSS127H6327XTSA2Infineon Technologies
- 2SK1828TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
- BSS169IXTSA1Infineon Technologies
- BSS139H6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS126H6327XTSA2Infineon Technologies
- AO3162Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- BSS139H6906XTSA1Infineon Technologies
- BSS127IXTSA1Infineon Technologies
- CPC3982TTRIXYS Integrated Circuits Division
- BSS126IXTSA1Infineon Technologies
- BSP135IXTSA1Infineon Technologies
- PJA3428_R1_00001Panjit International Inc.
- BSS131H6327XTSA1Infineon Technologies




