TK190U65Z,RQ

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TOLL
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	DTMOSVI
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	15A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 610µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1370 pF @ 300 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	130W (Tc)
Другие имена	264-TK190U65ZRQDKR 264-TK190U65ZRQCT 264-TK190U65ZRQTR TK190U65Z,RQ(S

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!