SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
НОВА часть #:
312-2273080-SI7655DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7655DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 40A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8S | |
| Базовый номер продукта | SI7655 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8S | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6600 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
| Другие имена | SI7655DN-T1-GE3CT SI7655DN-T1-GE3DKR SI7655DN-T1-GE3TR SI7655DNT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI7613DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP2008UFG-7Diodes Incorporated
SISS65DN-T1-GE3Vishay Siliconix- SIS407DN-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN32D2LFB4-7Diodes Incorporated
74LVC2T45GS-Q100XNexperia USA Inc.- SI7655ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7137DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISS61DN-T1-GE3Vishay Siliconix
