SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2287709-SI7613DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7613DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7613 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2620 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) | |
| Другие имена | SI7613DN-T1-GE3TR SI7613DNT1GE3 SI7613DN-T1-GE3DKR SI7613DN-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.
CSD25402Q3ATexas Instruments
ESP32-WROOM-32U (16MB)Espressif Systems
AON7407Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SI7106DN-T1-E3Vishay Siliconix- SI7619DN-T1-GE3Vishay Siliconix
TPS3808G09DBVRTexas Instruments- SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix
LTST-C190GKTLite-On Inc.- SIS407DN-T1-GE3Vishay Siliconix
MMBT3904LP-7BDiodes Incorporated- CSD25404Q3TTexas Instruments
- SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix
