BVSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
НОВА часть #:
312-2281348-BVSS84LT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
BVSS84LT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 50 V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | BVSS84 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 130mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 36 pF @ 5 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 225mW (Ta) | |
| Другие имена | ONSONSBVSS84LT1G BVSS84LT1G-ND BVSS84LT1GOSCT BVSS84LT1GOSTR 2156-BVSS84LT1G-OS BVSS84LT1GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC7004HMSE#PBFAnalog Devices Inc.
BSS84LT1Gonsemi
DMP510DL-7Diodes Incorporated
150080VS75000Würth Elektronik
MCP1700T-3302E/MBMicrochip Technology
SN74LVC1G14QDCKRQ1Texas Instruments
BSC105N10LSFGATMA1Infineon Technologies
BSS123Lonsemi- ZXTR2112F-7Diodes Incorporated
- TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
LTST-C191TGKTLite-On Inc.
LTC4020EUHF#PBFAnalog Devices Inc.
BSS84MDD
