IXTY26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
НОВА часть #:
312-2274261-IXTY26P10T
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTY26P10T
Стандартный пакет:
70
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | IXTY26 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchP™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3820 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | -IXTY26P10T |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
HSME-C170Broadcom Limited
IRFM120ATFonsemi
XVO2LUGR86MSunLED
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
FDD6637onsemi
