FDD6637

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK

НОВА часть #:

312-2281289-FDD6637

Производитель:

Номер детали производителя:

FDD6637

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

P-Channel 35 V 13A (Ta), 55A (Tc) 3.1W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	FDD663
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±25V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	35 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2370 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.1W (Ta), 57W (Tc)
Другие имена	FDD6637DKR ONSONSFDD6637 FDD6637TR FDD6637CT 2156-FDD6637-OS