BUK9Y4R8-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2282450-BUK9Y4R8-60E,115
Производитель:
Номер детали производителя:
BUK9Y4R8-60E,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | BUK9Y4 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7853 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 238W (Tc) | |
| Другие имена | 568-10983-6-ND 1727-1503-6 568-10983-6 568-10983-2-ND 568-10983-1 568-10983-1-ND 1727-1503-2 BUK9Y4R8-60E,115-ND 934067017115 1727-1503-1 568-10983-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC019N04LSATMA1Infineon Technologies
ADG1408SRUZ-EPAnalog Devices Inc.
BUK9Y8R7-60E,115Nexperia USA Inc.
LTC6804IG-2#PBFAnalog Devices Inc.
LTC2875MPS8#PBFAnalog Devices Inc.
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
PSMN4R2-80YSENexperia USA Inc.
TPS7B6950QDBVRQ1Texas Instruments- BUK9Y6R0-60E,115Nexperia USA Inc.
- BUK9Y40-55B,115Nexperia USA Inc.
