IRLHM620TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PQFN (3x3)
Базовый номер продукта	IRLHM620
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	26A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.1V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	78 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3620 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Другие имена	IRLHM620TRPBFDKR IRLHM620TRPBF-ND IRLHM620TRPBFTR SP001550432 IRLHM620TRPBFCT