NTTFS5826NLTAG
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2290240-NTTFS5826NLTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTTFS5826NLTAG
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NTTFS5826 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 850 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 19W (Tc) | |
| Другие имена | Q9557557AA NTTFS5826NLTAGOSTR NTTFS5826NLTAG-ND NTTFS5826NLTAGOSDKR NTTFS5826NLTAGOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MBR120LSFT3Gonsemi
DMTH6016LPS-13Diodes Incorporated
NTR1P02T1Gonsemi
NTMD4N03R2Gonsemi- MBR120LSFT1Gonsemi
SIA449DJ-T1-GE3Vishay Siliconix- SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
NTTFS6H850NLTAGonsemi- NTTFS6H850NTAGonsemi
PI3USB221EZUAEXDiodes Incorporated
MCP6541T-I/LTMicrochip Technology
