STL3N10F7
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
НОВА часть #:
312-2272559-STL3N10F7
Производитель:
Номер детали производителя:
STL3N10F7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerFlat™ (2x2) | |
| Базовый номер продукта | STL3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 408 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Tc) | |
| Другие имена | -497-14993-1 -497-14993-2 497-14993-2 497-14993-1 497-14993-6 -497-14993-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMA86151Lonsemi
SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
AON2290Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IRL100HS121Infineon Technologies
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.
SSM6K361NU,LFToshiba Semiconductor and Storage