MMIX1F360N15T2
MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD
НОВА часть #:
312-2314011-MMIX1F360N15T2
Производитель:
Номер детали производителя:
MMIX1F360N15T2
Стандартный пакет:
20
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 235A (Tc) 680W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 24-SMPD | |
| Базовый номер продукта | MMIX1F360 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 235A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 715 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 24-PowerSMD, 21 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 47500 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 680W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB036N12N3GATMA1Infineon Technologies
FDBL86210-F085onsemi
IXTT220N20X4HVIXYS- IPB044N15N5ATMA1Infineon Technologies
IXTT240N15X4HVIXYS
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
IXTK400N15X4IXYS
AOTL66518Alpha & Omega Semiconductor Inc.- IXFT220N20X3HVIXYS
