SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

НОВА часть #:

303-2247499-SI7956DP-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI7956DP-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта	SI7956
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	26nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	150V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	-
Мощность - Макс.	1.4W
Другие имена	SI7956DP-T1-GE3TR SI7956DP-T1-GE3DKR SI7956DP-T1-GE3CT SI7956DPT1GE3

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!