SIA938DJT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

НОВА часть #:

303-2066298-SIA938DJT-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIA938DJT-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта	SIA938
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	425pF @ 10V
Мощность - Макс.	1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Другие имена	742-SIA938DJT-T1-GE3DKR 742-SIA938DJT-T1-GE3TR 742-SIA938DJT-T1-GE3CT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!