SIA906EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
НОВА часть #:
303-2250914-SIA906EDJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA906EDJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Базовый номер продукта | SIA906 | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.5A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 7.8W | |
| Другие имена | SIA906EDJT1GE3 SIA906EDJ-T1-GE3DKR SIA906EDJ-T1-GE3TR SIA906EDJ-T1-GE3-ND SIA906EDJ-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- ASEMPLV-156.250MHZ-LR-TAbracon LLC
- HHM1595A1TDK Corporation
- AD9371BBCZAnalog Devices Inc.
- TCM1-83X+Mini-Circuits
- CVHD-950X-122.880Crystek Corporation
- ADP7158ACPZ-3.3-R7Analog Devices Inc.






