BSM600D12P3G001

.mst-lazy {display:none;}

1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S

НОВА часть #:

303-2250944-BSM600D12P3G001

Производитель:

Номер детали производителя:

BSM600D12P3G001

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Chassis Mount
Пакет устройств поставщика	Module
Базовый номер продукта	BSM600
Пакет/кейс	Module
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.6V @ 182mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	-
Полевой транзистор	Silicon Carbide (SiC)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200V (1.2kV)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	31000pF @ 10V
Мощность - Макс.	2450W (Tc)
Другие имена	846-BSM600D12P3G001

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!