SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
НОВА часть #:
303-2247691-SIA910EDJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA910EDJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Базовый номер продукта | SIA910 | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.5A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16nC @ 8V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 455pF @ 6V | |
| Мощность - Макс. | 7.8W | |
| Другие имена | SIA910EDJ-T1-GE3DKR SIA910EDJ-T1-GE3CT SIA910EDJ-T1-GE3TR SIA910EDJT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NCP114AMX180TCGonsemi
- SIA928DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA537EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- TSM250N02DCQ RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- KMR231NG LFSC&K
- XRCGB25M000F3M00R0Murata Electronics
- SIA906EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- MX25R2035FM1IH0Macronix





