SI1026X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
НОВА часть #:
303-2250887-SI1026X-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1026X-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-89 (SOT-563F) | |
| Базовый номер продукта | SI1026 | |
| Пакет/кейс | SOT-563, SOT-666 | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 305mA | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 30pF @ 25V | |
| Мощность - Макс. | 250mW | |
| Другие имена | SI1026X-T1-GE3DKR SI1026XT1GE3 SI1026X-T1-GE3CT SI1026X-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SI1029X-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI1025X-T1-GE3Vishay Siliconix
- 2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.
- MBR130T1Gonsemi
- BAT54SWT1Gonsemi
- DMN601VK-7Diodes Incorporated
- 2N7002PV,115Nexperia USA Inc.
- DMG1026UV-7Diodes Incorporated
- SI1926DL-T1-E3Vishay Siliconix
- SI4948BEY-T1-E3Vishay Siliconix
- DMN5L06VK-7Diodes Incorporated
- NTZD5110NT1Gonsemi








