SI1029X-T1-GE3

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

НОВА часть #:

303-2250899-SI1029X-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1029X-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-89 (SOT-563F)
Базовый номер продукта	SI1029
Пакет/кейс	SOT-563, SOT-666
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	30pF @ 25V
Мощность - Макс.	250mW
Другие имена	SI1029X-T1-GE3TR SI1029X-T1-GE3CT SI1029X-T1-GE3DKR SI1029XT1GE3

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!