SI4936CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

НОВА часть #:

303-2251419-SI4936CDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4936CDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4936
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	9nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	325pF @ 15V
Мощность - Макс.	2.3W
Другие имена	SI4936CDY-T1-GE3-ND SI4936CDY-T1-GE3CT SI4936CDY-T1-GE3TR SI4936CDY-T1-GE3DKR SI4936CDYT1GE3

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!