NJD35N04T4G
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
НОВА часть #:
301-2033142-NJD35N04T4G
Производитель:
Номер детали производителя:
NJD35N04T4G
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 4 A 90MHz 45 W Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | NJD35 | |
| Ряд | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A | |
| Частота – переход | 90MHz | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 50µA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 350 V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 4 A | |
| Тип транзистора | NPN - Darlington | |
| Мощность - Макс. | 45 W | |
| Другие имена | NJD35N04T4G-ND NJD35N04T4GOSTR NJD35N04T4GOSDKR NJD35N04T4GOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- GSD2004W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- SI1539CDL-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI1029X-T1-GE3Vishay Siliconix
- FJD5304DTFonsemi
- MJB5742T4Gonsemi
- STD901TSTMicroelectronics
- NJVNJD35N04T4Gonsemi
- MJD122T4STMicroelectronics
- BAS70-05-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division









