G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Número da pe?a NOVA:
312-2273145-G3R20MT17K
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
G3R20MT17K
Embalagem padr?o:
30
N-Channel 1700 V 124A (Tc) 809W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-4 | |
| Número do produto base | G3R20 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | G3R™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 124A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 75A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 15mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1700 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10187 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 809W (Tc) | |
| Outros nomes | 1242-G3R20MT17K |
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