G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Número da pe?a NOVA:
312-2279155-G3R20MT17N
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
G3R20MT17N
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
N-Channel 1700 V 100A (Tc) 523W (Tc) Chassis Mount SOT-227
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227 | |
| Número do produto base | G3R20 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | G3R™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 75A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 15mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1700 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10187 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 523W (Tc) | |
| Outros nomes | 1242-G3R20MT17N |
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