G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2283971-G2R50MT33K
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
G2R50MT33K
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-4 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | G2R™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA (Typ) | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 340 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Pacote / Estojo | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 3300 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7301 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 536W (Tc) | |
| Outros nomes | 1242-G2R50MT33K |
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