CSD16325Q5

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-VSON-CLIP (5x6)
Número do produto base	CSD16325
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	NexFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	+10V, -8V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4000 pF @ 12.5 V
Dissipação de energia (máx.)	3.1W (Ta)
Outros nomes	-CSD16325Q5-NDR 296-24964-1 296-24964-2 296-24964-6 -296-24964-1-ND

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