CSD16407Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Número da pe?a NOVA:
312-2263479-CSD16407Q5
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CSD16407Q5
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 31A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-VSONP (5x6) | |
| Número do produto base | CSD16407 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | NexFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | +16V, -12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 12.5 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta) | |
| Outros nomes | 296-24252-2-NDR TEXTISCSD16407Q5 296-24252-2 296-24252-1 296-24252-1-NDR -CSD16407Q5-NDR 296-24252-6-NDR -296-24252-1-NDR 296-24252-6 2156-CSD16407Q5 -296-24252-1-ND |
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