CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Número da pe?a NOVA:
312-2263522-CSD17311Q5
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CSD17311Q5
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-VSON-CLIP (5x6) | |
| Número do produto base | CSD17311 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | NexFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | +10V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4280 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta) | |
| Outros nomes | TEXTISCSD17311Q5 296-27625-6 -CSD17311Q5-NDR -296-27625-1-ND 296-27625-1 296-27625-2 2156-CSD17311Q5 |
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