IXTA1N200P3HV

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

Número da pe?a NOVA:

312-2361358-IXTA1N200P3HV

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IXTA1N200P3HV

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263AA
Número do produto base	IXTA1
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Polar P3™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23.5 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	2000 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	646 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)