SUD50P06-15L-T4-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2305022-SUD50P06-15L-T4-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUD50P06-15L-T4-E3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SUD50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4950 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
- SUD50P06-15-BE3Vishay Siliconix
- NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- SQD50P06-15L_GE3Vishay Siliconix
- PCA9554PWG4Texas Instruments
- RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor
- SUD50P06-15L-E3Vishay Siliconix
- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- SUD50P06-15-GE3Vishay Siliconix
- IRF5305STRRPBFInfineon Technologies
- IXTY48P05T-TRLIXYS
- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- DMPH4013SK3-13Diodes Incorporated






