IRF5305STRRPBF

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D2PAK
Número do produto base	IRF5305
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	55 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 110W (Tc)
Outros nomes	SP001571302

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