NP50P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2288706-NP50P06KDG-E1-AY
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NP50P06KDG-E1-AY
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263 | |
| Número do produto base | NP50P06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 90W (Tc) | |
| Outros nomes | 559-NP50P06KDG-E1-AYCT 559-NP50P06KDG-E1-AYTR 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR NP50P06KDG-E1-AY-ND -1161-NP50P06KDG-E1-AYCT |
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