IXTT170N10P

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MOSFET N-CH 100V 170A TO268

Número da pe?a NOVA:

312-2291204-IXTT170N10P

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IXTT170N10P

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-268AA
Número do produto base	IXTT170
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Polar
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	170A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	198 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	715W (Tc)