TW070J120B,S1Q
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Número da pe?a NOVA:
312-2265040-TW070J120B,S1Q
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TW070J120B,S1Q
Embalagem padr?o:
25
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3P(N) | |
| Número do produto base | TW070J120 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.8V @ 20mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Pacote / Estojo | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 272W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TW070J120BS1Q |
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