IXFN150N65X2
MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Número da pe?a NOVA:
312-2283956-IXFN150N65X2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFN150N65X2
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXFN150 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 145A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 355 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21000 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1040W (Tc) | |
| Outros nomes | 632512 IXFN150N65X2X IXFN150N65X2X-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- APT2X101DQ60JMicrochip Technology
- VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- STE145N65M5STMicroelectronics
- VS-UFB280FA20Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- IXFN120N65X2IXYS
- IXFN110N85XIXYS
- VS-UFB280FA40Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- TGHGCR0005FEOhmite
- IXFN170N65X2IXYS






