IXFN110N85X
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Número da pe?a NOVA:
312-2291962-IXFN110N85X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFN110N85X
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
N-Channel 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXFN110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Ultra X | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 425 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 850 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17000 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1170W (Tc) |
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