IXFN120N65X2
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Número da pe?a NOVA:
312-2291891-IXFN120N65X2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFN120N65X2
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXFN120 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 108A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 54A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15500 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 890W (Tc) | |
| Outros nomes | 632519 IXFN120N65X2X IXFN120N65X2X-ND |
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