CSD19532KTTT

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MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2283322-CSD19532KTTT

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

CSD19532KTTT

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	DDPAK/TO-263-3
Número do produto base	CSD19532
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	NexFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5060 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	250W (Tc)
Outros nomes	2156-CSD19532KTTT 296-43211-6 TEXTISCSD19532KTTT 296-43211-1 296-43211-2