IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2263560-IPD60R360P7ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD60R360P7ATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | IPD60R360 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ P7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 41W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-IPD60R360P7ATMA1 SP001606048 IPD60R360P7ATMA1CT IPD60R360P7ATMA1DKR IPD60R360P7ATMA1TR IFEINFIPD60R360P7ATMA1 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
MMSZ5245CT1Gonsemi
IPD60R600P7ATMA1Infineon Technologies
FDD5N60NZTMonsemi
BSS127S-7Diodes Incorporated- IPD60R180P7SAUMA1Infineon Technologies
TP65H480G4JSG-TRTransphorm
PMBD7000,235Nexperia USA Inc.- MMSZ5229BT1Gonsemi
- IPD60R360P7SAUMA1Infineon Technologies
TP65H300G4LSGTransphorm
