IPD60R360P7SAUMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD60R360
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 140µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	555 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	41W (Tc)
Outros nomes	ROCINFIPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1TR IPD60R360P7SAUMA1DKR IPD60R360P7SAUMA1CT 2156-IPD60R360P7SAUMA1 IPD60R360P7SAUMA1-ND SP001658166

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