IPD60R600P7ATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD60R600
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 80µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	363 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	30W (Tc)
Outros nomes	SP001606046 IPD60R600P7ATMA1DKR IPD60R600P7ATMA1CT IPD60R600P7ATMA1TR

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