IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2283549-IXTA130N10T
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTA130N10T
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263AA | |
| Número do produto base | IXTA130 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Trench | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 130A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5080 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360W (Tc) | |
| Outros nomes | Q3262430 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- LTC4359HMS8#PBFAnalog Devices Inc.
- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
- SUM70101EL-GE3Vishay Siliconix
- H130B-50.000-16-F-1010-TRRaltron Electronics
- IXFA130N10T2IXYS
- FDMS86101DConsemi






