BSC005N03LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
Número da pe?a NOVA:
312-2288748-BSC005N03LS5ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC005N03LS5ATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8 FL | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 42A (Ta), 433A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.55mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8900 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 188W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-BSC005N03LS5ATMA1DKR 448-BSC005N03LS5ATMA1TR 448-BSC005N03LS5ATMA1CT SP004819078 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC005N03LS5IATMA1Infineon Technologies
ISC007N04NM6ATMA1Infineon Technologies
SIR178DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix- BSC007N04LS6ATMA1Infineon Technologies
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies- TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
NTMFS0D5N03CT1Gonsemi
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
CSD16570Q5BTexas Instruments- NTMFS0D6N03CT1Gonsemi
