NTMFS0D5N03CT1G
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Número da pe?a NOVA:
312-2361478-NTMFS0D5N03CT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTMFS0D5N03CT1G
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 65A (Ta), 464A (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 65A (Ta), 464A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.52mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 330µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.9W (Ta), 200W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NTMFS0D5N03CT1GDKR 488-NTMFS0D5N03CT1GCT 488-NTMFS0D5N03CT1GTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NVMTS0D4N04CLTXGonsemi
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
NTMFS0D8N02P1ET1Gonsemi- NTMTS001N06CLTXGonsemi
SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IPT004N03LATMA1Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
BSC005N03LS5ATMA1Infineon Technologies
CSD16570Q5BTexas Instruments- NTMFS0D6N03CT1Gonsemi