BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
Número da pe?a NOVA:
312-2297568-BSC004NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC004NE2LS5ATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2.5W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 479A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.45mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 238 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 12.5 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 188W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR SP004950304 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- NVMTS0D4N04CLTXGonsemi
- BSC005N03LS5IATMA1Infineon Technologies
- SIR500DP-T1-RE3Vishay Siliconix
- BSC007N04LS6ATMA1Infineon Technologies
- IPT004N03LATMA1Infineon Technologies
- IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon Technologies
- NTMFS0D5N03CT1Gonsemi
- NTMTS0D6N04CLTXGonsemi
- BSC005N03LS5ATMA1Infineon Technologies
- CSD16570Q5BTexas Instruments









