SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2272883-SIHFL110TR-BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIHFL110TR-BE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | SIHFL110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SIHFL110TR-BE3CT 742-SIHFL110TR-BE3DKR 742-SIHFL110TR-BE3TR |
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