PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2274240-PHT6NQ10T,135
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PHT6NQ10T,135
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | PHT6NQ10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Outros nomes | PHT6NQ10T135 568-6791-2-ND 568-6791-6-ND 934055876135 PHT6NQ10T,135-ND 568-6791-2 PHT6NQ10T /T3 568-6791-1 PHT6NQ10T /T3-ND 1727-5352-6 568-6791-1-ND 568-6791-6 1727-5352-1 1727-5352-2 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TSM950N10CW RPGTaiwan Semiconductor Corporation
MC78M12BDTRKGonsemi
BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.
FQT7N10LTFonsemi- IRLL014NTRPBFInfineon Technologies
FDT3612onsemi
BZX84C4V7-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
EEH-ZS1J121UPPanasonic Electronic Components
DMN6068SE-13Diodes Incorporated
CMHZ4687 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
MMBZ5225BLT1Gonsemi
SN74HC14QPWRQ1Texas Instruments
