IRF6668TRPBF
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Número da pe?a NOVA:
312-2263520-IRF6668TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF6668TRPBF
Embalagem padr?o:
4,800
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DIRECTFET™ MZ | |
| Número do produto base | IRF6668 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 55A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | DirectFET™ Isometric MZ | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Outros nomes | IRF6668TRPBFTR IRF6668TRPBFDKR IRF6668TRPBFCT SP001551178 |
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